VB Semi

VB Semi - китайский производитель MOSFET и IGBT транзисторов. Компания была основана в 2003 году. Специализируется на разработке, изготовлении и MOSFET и IGBT на средние токи (до 450А) и напряжения (от 12В до 1700В). Продукция компании выпускается на производственных мощностях TSMC, где обеспечивается качество на уровне мировых производителей, как Infineon, ST, Nexperia, Renesas и других. Линейка продуктов компании отличается различными корпусами, широким диапазоном напряжений, высокими характеристиками и оптимальной стоимостью.

Продукция компании VB Semi:

- P-канальные MOSFET с напряжением стока от 12 В до 250 В и токами до 120 А
- N-канальные MOSFET с напряжением до 250 В и токами до 400 А
- N+P-канальные MOSFET
- SGT MOSFET с пониженным сопротивлением (Rdson) сверхмалыми потерями.
- Multi-EPI SJ MOSFET (Многослойные эпитаксиальные с Супер переход MOS), работающие с более высокими напряжениями при низком сопротивлении перехода, с рабочим напряжением до 900В
- SJ MOSFET с углубленным каналом, для высоких напряжение (от 600 В до 900 В)
- Планарные MOSFET, с рабочим напряжением до 1000 В
- IGBT транзисторы, с рабочим напряжением до 1350 В
- SiC MOSFET (Кремний-Карбидные) с высокой плотностью преобразуемой мощности (напряжение от 1200 В до 1700 В при токе до 100 А).

Применения:

- Источники питания
- Инверторы: автомобильные, для солнечных батарей
- Системы управления двигателями и приводами
- Электрический транспорт
- Промышленные системы
- Потребительская техника

Продукция компании обеспечивает характеристики на уровне ведущих производителей: Infineon, NXP, ON Semi, Vishay при значительно меньшой цене.

15:39:10 - 15.11.2025